（原標(biāo)題：美國打壓華為，致3nm工藝延期半年？臺積電否認：一切正常）
最近半導(dǎo)體市場上風(fēng)云波詭，美國封禁華為、全球疫情導(dǎo)致經(jīng)濟下滑等因素影響著半導(dǎo)體發(fā)展前景，此前有傳聞稱臺積電因此延期先進制程工藝，其中3nm延期了半年到明年Q1季度才試產(chǎn)，不過官方否認了這一消息。
臺積電3nm是5nm之后的下一代節(jié)點，官方信息顯示3nm工藝晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm?，而5nm工藝不過是1.8億/mm2，而3nm性能較5nm提升7%，能耗比提升15%。
工藝上，臺積電評估多種選擇后認為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首發(fā)依然會是FinFET晶體管技術(shù)。
日前有傳聞稱，美國打壓華為，導(dǎo)致先進工藝需求放緩，臺積電不僅減少了7nm、5nm工藝的產(chǎn)能，同時3nm工藝也延期2個季度，到2021年Q3季度才會風(fēng)險試產(chǎn)，整體進度也會因此晚上半年。
不過臺積電今天否認傳聞，表示一切按照計劃進行，3nm工藝如期在2021年Q1季度試產(chǎn)，2022年下半年正式量產(chǎn)。
作者：憲瑞
責(zé)任編輯：肖舒
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